三星3nm GAA量产遇良率瓶颈，AI芯片订单或转向台积电

三星3纳米GAA量产受阻，良率不足50%

据韩媒《The Elec》7月27日报道，三星电子3纳米GAA（Gate-All-Around）制程在量产一年后面临严重的良率问题，目前整体良率仅约40%至50%，远低于商业量产所需的70%以上门槛。消息人士透露，三星已推迟下一代3纳米增强型（3GAP）的量产时间表至2027年上半年。

三星自2022年率先全球量产3纳米GAA技术，但其复杂的制造工艺导致缺陷率居高不下。相比之下，台积电采用成熟的FinFET技术，3纳米良率已超过85%。这使高通、英伟达等AI芯片大客户开始重新评估订单分配。

随着生成式AI模型参数规模指数级增长，对先进制程芯片的需求激增。台积电2026年3纳米产能预计达到每月12万片晶圆，较2025年增长50%，但仍供不应求。台积电近期宣布将斥资300亿美元在亚利桑那州建设第三座3纳米晶圆厂。

分析师指出，三星良率困境将加速AI芯片向台积电集中。Cowen半导体分析师在最新研报中表示：“三星3GAP延期意味着至少未来18个月内，台积电将是AI训练芯片的首要选择。三星需要解决晶体管通道控制的根本性难题。”

三星挑战的根源之一在于其EUV光刻机生产效率较低。根据荷兰光刻机巨头ASML（阿斯麦）7月27日发布的2026年第二季度财报，三星采购的High-NA EUV设备利用率仅为55%，而台积电同类设备利用率达92%。

ASML CEO克里斯托夫·富凯在业绩说明会上表示：“High-NA EUV的技术复杂度超出预期，部分客户需要更长时间完成工艺整合。我们正与三星合作优化光刻胶和掩模方案。”

三星计划在2027年投入量产的新一代1.4纳米制程仍将采用GAA架构，公司已紧急调派2000名研发人员攻关良率问题。

尽管代工业务受挫，三星在存储芯片领域表现强劲。7月28日三星公布第二季度财报，营收同比增长18%至86万亿韩元，其中DRAM和NAND Flash营业利润环比增长25%，得益于AI服务器对HBM3e高带宽存储器的需求。

三星电子设备解决方案部门负责人在电话会议中表示：“HBM3e在2026年已实现出货，第四代HBM4已开始样品送样。存储业务的强劲现金流将支撑先进逻辑代工的技术攻关。”

三星的困境亦引发中国晶圆代工厂关注。中芯国际7月初宣布启动3纳米GAA研发项目，但业内预计量产时间可能在2029年以后。华虹半导体则选择差异化路线，聚焦成熟制程的IGBT和电源管理芯片。

台积电、三星、英特尔三强格局面临变数。英特尔在2026年第一季度宣布其18A（1.8纳米）制程取得突破，良率达70%，并签约亚马逊AWS作为首批客户。英特尔CEO帕特·基辛格在7月27日接受采访时表示：“我们计划在2027年超越台积电，成为先进制程领先者。”

对于投资者而言，三星3纳米良率问题进一步确认了台积电在AI芯片代工领域的主导地位。但长期看，GAA技术仍是超越FinFET的主流方向，三星若最终突破良率瓶颈，可能重塑竞争平衡。建议关注台积电（TSM）、阿斯麦（ASML）、三星电子（SSNLF）及先进封装设备厂商的长期投资价值。

（完）